Effect of AlN seed layer on crystallographic characterization of piezoelectric AlN

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

effect of seed priming and irrigation regimes on yield,yield components and quality of safflowers cultivars

این مطالعه در سال 1386-87 در آزمایشگاه و مزرعه پژوهشی دانشگاه صنعتی اصفهان به منظور تعیین مناسب ترین تیمار بذری و ارزیابی اثر پرایمینگ بر روی سه رقم گلرنگ تحت سه رژیم آبیاری انجام گرفت. برخی از مطالعات اثرات سودمند پرایمینگ بذر را بر روی گیاهان مختلف بررسی کرده اند اما در حال حاضر اطلاعات کمی در مورد خصوصیات مربوط به جوانه زنی، مراحل نموی، عملکرد و خصوصیات کمی و کیفی بذور تیمار شده ژنوتیپ های م...

AlN-AlN Layer Bonding and Its Thermal Characteristics

The MIT Faculty has made this article openly available. Please share how this access benefits you. Your story matters.

متن کامل

Dual-Beam Actuation of Piezoelectric AlN RF MEMS Switches Monolithically Integrated with AlN Contour-Mode Resonators

This work reports on piezoelectric Aluminum Nitride (AlN) based dual-beam RF MEMS switches that have been monolithically integrated with AlN contour-mode resonators. The dual-beam switch design presented in this paper intrinsically compensates for the residual stress in the deposited films, requires low actuation voltage (5 to 20 V), facilitates active pull-off to open the switch and exhibits f...

متن کامل

Dual Beam Actuation of Piezoelectric AlN RF MEMS Switches Integrated with AlN Contour-mode Resonators

This work reports on piezoelectric Aluminum Nitride (AlN) based dual-beam RF MEMS switches that have been monolithically integrated with AlN contour-mode resonators. The dual-beam switch design presented in this paper intrinsically compensates for the residual stress in the deposited films, requires low actuation voltage (5-20 V), facilitates active pull-off to open the switch and fast switchin...

متن کامل

Dual optical marker Raman characterization of strained GaN-channels on AlN using AlN/GaN/AlN quantum wells and N isotopes

on AlN using AlN/GaN/AlN quantum wells and N isotopes Meng Qi, Guowang Li, Vladimir Protasenko, Pei Zhao, Jai Verma, Bo Song, Satyaki Ganguly, Mingda Zhu, Zongyang Hu, Xiaodong Yan, Alexander Mintairov, Huili Grace Xing, and Debdeep Jena Electrical Engineering, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana 46556, USA Ioffe Physico-Technical Institute, Russian Academy of Sciences, Saint Petersbu...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Journal of Vacuum Science & Technology A

سال: 2019

ISSN: 0734-2101,1520-8559

DOI: 10.1116/1.5082888